Q74904
FUNCERN - 2017 - IF-RN - Professor - Equipamentos Biomédicos
Ano: 2017
Órgão:
IF-RN
Banca:
FUNCERN
Matéria:
Engenharia Elétrica
Assunto: Eletromagnetismo na Engenharia Elétrica
Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 k com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é
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