Questão #74904 - IF-RN FUNCERN - FUNCERN - 2017 - IF-RN - Professor - Equipamentos Biomédicos - Engenharia Elétrica

Q74904 FUNCERN - 2017 - IF-RN - Professor - Equipamentos Biomédicos

Ano: 2017

Órgão: IF-RN

Banca: FUNCERN

Matéria: Engenharia Elétrica

Assunto: Eletromagnetismo na Engenharia Elétrica

Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 k com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é

A 1,98 V

B 1,69 V

C 1,89 V

D 1,78 V

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