Q74903
FUNCERN - 2017 - IF-RN - Professor - Equipamentos Biomédicos
Ano: 2017
Órgão:
IF-RN
Banca:
FUNCERN
Matéria:
Engenharia Elétrica
Assunto: Eletromagnetismo na Engenharia Elétrica
Em um dispositivo semicondutor constituído de silício monocristalino, uma junção pn abrupta, na temperatura de 300 K, possui concentração de dopantes aceitadores NA= 1016 cm-3 e concentração de dopantes doadores ND= 1015 cm-3.
Considerando kT= 26 meV, ln10= 2,3026, concentração de portadores do silício intrínseco ni= 1010 cm-3 e constante dielétrica do semicondutor s= 1,045 pF/cm, estando a junção pn em equilíbrio e sem polarização, a altura da barreira de potencial e a largura total da região de depleção são, respectivamente,
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