Questões de Concursos Públicos - FGV - 2026 - AMAZUL - Engenheiro Eletrônico
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Q5714
FGV - 2026 - AMAZUL - Engenheiro Eletrônico
Em um sistema industrial automatizado de instrumentação e
controle, deseja-se garantir o funcionamento seguro de um
trocador de calor que utiliza uma bomba de recirculação (M) para
manter a vazão de fluido refrigerante.
A operação dessa bomba depende de condições permissivas
monitoradas por sensores digitais conectados a um controlador
lógico programável (CLP), conforme descrito a seguir: A lógica de controle foi projetada para que a bomba M ligue
automaticamente sempre que a temperatura estiver alta no
trocador e houver nível suficiente no tanque de alimentação,
desde que não exista condição de emergência. Caso qualquer sinal
assuma o estado de falha, a bomba deve desligar imediatamente,
protegendo o sistema contra operação insegura.
Com base nessas condições, a expressão lógica de acionamento da
bomba M é
Q5713
FGV - 2026 - AMAZUL - Engenheiro Eletrônico
Ano: 2026
Órgão:
AMAZUL
Banca:
FGV
Matéria:
Engenharia Eletrônica
Assunto: Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica
Os dispositivos semicondutores IGBT (Insulated Gate Bipolar
Transistor) e MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistor) são amplamente utilizados como chaves eletrônicas
em conversores e inversores de potência, pois permitem o
controle de grandes correntes com sinal de comando de baixa
potência.
Com base na estrutura física e no princípio de operação desses
dispositivos, analise as afirmativas a seguir:
I. Tanto o IGBT quanto o MOSFET são dispositivos controlados
por tensão aplicada ao gate, com elevada impedância de
entrada devido à presença da camada isolante de dióxido de
silício, SiO2.
II. No MOSFET, a condução é realizada apenas por portadores
majoritários, elétrons, enquanto no IGBT há injeção de
portadores minoritários.
III. O IGBT apresenta queda de tensão de condução praticamente
constante (VCE(sat)
), enquanto o MOSFET possui
comportamento resistivo, com perdas proporcionais a I 2RDS(on)
.
É correto o que se afirma em
Q5712
FGV - 2026 - AMAZUL - Engenheiro Eletrônico
Ano: 2026
Órgão:
AMAZUL
Banca:
FGV
Matéria:
Engenharia Eletrônica
Assunto: Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica
Durante o projeto térmico de um inversor trifásico PWM operando
a 20 kHz, um engenheiro analisa as perdas em um transistor IGBT
responsável pelo chaveamento de uma das fases do circuito.
O dispositivo é especificado pelo fabricante com os seguintes
parâmetros sob as condições nominais de operação: Considerando que o transistor IGBT atua como chave idealizada e
que a operação ocorre em regime estacionário, a temperatura
aproximada da junção do dispositivo é
Q5711
FGV - 2026 - AMAZUL - Engenheiro Eletrônico
Ano: 2026
Órgão:
AMAZUL
Banca:
FGV
Matéria:
Engenharia Eletrônica
Assunto: Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica
Durante o comissionamento de um inversor trifásico PWM,
observou-se a ocorrência de picos de tensão no instante de
desligamento dos IGBTs causados pela energia armazenada nas
indutâncias parasitas do circuito. Para eliminar esse problema, o projetista adicionou, em paralelo a
cada dispositivo, um circuito passivo composto por resistor e
capacitor, capaz de absorver a energia excedente e limitar a taxa
de variação de tensão (dv/dt), durante a comutação.
Esse tipo de proteção é conhecido como
Q5710
FGV - 2026 - AMAZUL - Engenheiro Eletrônico
Ano: 2026
Órgão:
AMAZUL
Banca:
FGV
Matéria:
Engenharia Eletrônica
Assunto: Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica
Em um inversor trifásico PWM destinado ao acionamento de um
motor de indução, cada fase é composta por um braço com duas
chaves semicondutoras (superior e inferior), implementadas com
transistores IGBTs.
As chaves são comandadas em pares complementares — quando
a inferior conduz, a superior está bloqueada — de modo a gerar
uma forma de onda PWM simétrica no terminal da fase do motor.
Durante o projeto, o engenheiro responsável observou que:
As chaves inferiores podem ser facilmente acionadas, pois seus
emissores estão conectados ao terra;
Já as chaves superiores flutuam em relação ao terra, pois o
potencial do emissor varia continuamente entre 0 V e a tensão do
barramento CC, que neste caso é de 600 V;
Logo, o driver da chave superior precisa receber, de forma segura,
uma tensão de gate referida ao emissor flutuante, sem recorrer a
fontes isoladas individuais.
Para resolver o problema, foi adotado um circuito em que um
capacitor auxiliar é carregado enquanto a chave inferior conduz e,
durante o acionamento da chave superior, esse capacitor fornece
momentaneamente a tensão necessária para alimentar o driver do
transistor superior, permitindo seu acionamento com isolação
adequada e sem necessidade de fonte adicional.
Esse método de acionamento das chaves superiores é conhecido
como
Q5709
FGV - 2026 - AMAZUL - Engenheiro Eletrônico
Ano: 2026
Órgão:
AMAZUL
Banca:
FGV
Matéria:
Engenharia Eletrônica
Assunto: Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica
Os conversores CC–CC são largamente utilizados em sistemas de
instrumentação, automação e acionamentos industriais para
ajustar o nível de tensão contínua aplicada a uma carga.
Seu princípio básico consiste no chaveamento periódico de um
transistor IGBT ou MOSFET, cuja razão entre o tempo em que a
chave permanece ligada (ton) e o período total de comutação (T)
é denominada ciclo de trabalho: D = ton/T Com relação aos tipos e princípios de operação dos conversores
CC–CC ideais, analise as afirmativas a seguir: I. O conversor Buck produz uma tensão média de saída (Vo)
menor que a de entrada (Vin), sendo Vo/Vin = D.
II. O conversor Boost possui relação Vo/Vin = 1/(1 − D),
permitindo obter tensão maior que a de entrada.
III. O conversor Buck–Boost inverte a polaridade da tensão de
saída, e Vo / Vin = D/(1 − D).
É correto o que se afirma em
Q5708
FGV - 2026 - AMAZUL - Engenheiro Eletrônico
Ano: 2026
Órgão:
AMAZUL
Banca:
FGV
Matéria:
Engenharia Eletrônica
Assunto: Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica
A operação do conversor abaixo que opera no modo de corrente
contínua (Continuous current mode - CCM) pode ser representada
no plano tensão–corrente da carga, onde o eixo das abscissas
representa a tensão aplicada à carga (V) e o eixo das ordenadas
representa a corrente da carga (I).
A classificação dos quadrantes segundo os sinais de V e I é:
Primeiro Quadrante: quando V > 0, I > 0;
Segundo Quadrante: quando V > 0, I < 0;
Terceiro Quadrante: quando V < 0, I < 0; e
Quarto Quadrante: quando V < 0, I > 0.
Considerando todos os componentes ideais e que a chave S
representa um chaveamento periódico, é correto afirmar que o
circuito opera
Q5707
FGV - 2026 - AMAZUL - Engenheiro Eletrônico
Ano: 2026
Órgão:
AMAZUL
Banca:
FGV
Matéria:
Engenharia Eletrônica
Assunto: Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica
A tensão média de saída Vs , em volts, é aproximadamente igual a
Q5706
FGV - 2026 - AMAZUL - Engenheiro Eletrônico
Ano: 2026
Órgão:
AMAZUL
Banca:
FGV
Matéria:
Engenharia Eletrônica
Assunto: Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica
O valor do indutor L, em μH, para que a variação máxima da
corrente seja igual a 40A, é aproximadamente igual a
Q5705
FGV - 2026 - AMAZUL - Engenheiro Eletrônico
Ano: 2026
Órgão:
AMAZUL
Banca:
FGV
Matéria:
Engenharia Eletrônica
Assunto: Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica
Conectou-se uma fonte de tensão regulável Ve a um circuito com o
objetivo de se obter uma tensão média de saída Vs . A chave S
representa um chaveamento periódico em que o ciclo de trabalho
é igual a 0,4. Considerando todos os componentes ideais e que o circuito opera
no modo de corrente contínua (Continuous current mode – CCM),
o valor de Ve , em volts, para que Vs = 50V é aproximadamente