Os dispositivos semicondutores IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) e MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) são amplamente utilizados como chaves eletrônicas em conversores e inversores de potência, pois permitem o controle de grandes correntes com sinal de comando de baixa potência. Com base na estrutura física e no princípio de operação desses dispositivos, analise as afirmativas a seguir: I. Tanto o IGBT quanto o MOSFET são dispositivos controlados por tensão aplicada ao gate, com elevada impedância de entrada devido à presença da camada isolante de dióxido de silício, SiO2. II. No MOSFET, a condução é realizada apenas por portadores majoritários, elétrons, enquanto no IGBT há injeção de portadores minoritários. III. O IGBT apresenta queda de tensão de condução praticamente constante (VCE(sat) ), enquanto o MOSFET possui comportamento resistivo, com perdas proporcionais a I 2RDS(on) . É correto o que se afirma em