Questão #51269 - IF-MT UFMT - UFMT - 2015 - IF-MT - Professor - Engenharia Eletrônica - Engenharia Eletrônica

Q51269 UFMT - 2015 - IF-MT - Professor - Engenharia Eletrônica

Ano: 2015

Órgão: IF-MT

Banca: UFMT

Matéria: Engenharia Eletrônica

Assunto: Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica

Em relação ao transistor MosFet e seus modelos, é correto afirmar:

A Na região de triodo, a tensão entre o dreno e a fonte é maior que a tensão do gatilho-fonte menos a tensão limiar (Vds > Vgs-Vt).

B O amplificador porta comum apresenta ganho elevado, mas a sua impedância de entrada é baixa.

C Na região de saturação, a tensão entre o dreno e a fonte é menor que a tensão do gatilho-fonte menos a tensão limiar (Vds < Vgs-Vt).

D A corrente de dreno é controlada por tensão e a expressão matemática da corrente de dreno explicita que ela é diretamente proporcional ao comprimento do canal.

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