Questão #111394 - UFMG UFMG - UFMG - 2018 - UFMG - Técnico em Eletricidade - Eletricidade

Q111394 UFMG - 2018 - UFMG - Técnico em Eletricidade

Ano: 2018

Órgão: UFMG

Banca: UFMG

Matéria: Eletricidade

Assunto: Eletrônica

Sobre características de dispositivos semicondutores, é INCORRETO afirmar que

A quando ocorre o estrangulamento (pinch-off) do canal de um JFET, a corrente de dreno é reduzida a zero.

B um diodo retificador polarizado inversamente conduz, até que seja transcorrido o tempo de recuperação reverso trr, quando então entra em bloqueio.

C o diodo Schottky é constituído por uma junção semicondutor-metal, que produz baixa queda de tensão direta e alta velocidade de comutação.

D os dispositivos Diac e Triac são tiristores com capacidade de condução bidireccional.

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