Questões de Concursos Públicos - Física

A A microanálise composicional oferece, de forma direta, dados quantitativos dos elementos presentes na amostra, sem a necessidade de prévia calibração.

B Por meio da microanálise por energia dispersiva, é possível obter o mapa composicional da região analisada, possibilitando a correlação entre a microestrutura e a composição química detalhada.

C Os espectros de raios X podem ser emitidos para todos os elementos da tabela periódica, exceto para o Hidrogênio (H), Hélio (He), Lítio (Li) e Berílio (Be).

D Para detecção dos raios X caraterísticos emitidos por uma amostra, o material da janela do detector de energia dispersiva é geralmente o tungstênio, pois esse material aumenta a eficiência do detector.

E A quantidade dos elementos químicos presente numa amostra não influencia na identificação qualitativa dos mapas composicionais de energia dispersiva.

A 1 – Canhão de elétrons, 2 – sistema de varredura, 3 – lentes condensadoras, 4 – lentes objetivas

B 1 – Canhão de elétrons, 2 – lentes objetivas, 3 – detectores de elétrons, 4 – suporte da amostra

C 1 – Canhão de elétrons, 2 – detectores de elétrons, 3 – lentes condensadoras, 4 – lentes objetivas

D 1 – Canhão de elétrons, 2 – controle de de magnificação, 3 – detectores de elétrons, 4 – amplificador

E 1 – Canhão de elétrons, 2 – lentes condensadoras, 3 – sistema de varredura, 4 – lentes objetivas

A Amostras condutoras funcionam como um capacitor, promovendo efeitos de carregamento em medidas de MEV.

B Ocorre somente em amostras não condutoras, devendo essas serem submetidas ao processo de metalização.

C O fluxo de corrente através da amostra para o aterramento é a principal causa de carregamento no MEV.

D Amostras biológicas, quando passam pelo processo de remoção de água (secagem), para análise no MEV, têm o problema de não condutividade resolvido, eliminando, quase que completamente, o fenômeno de carregamento.

E Todos os materiais, exceto os semicondutores, podem sofrer carregamento em medidas de MEV, pois possuem resistividade elétrica.

A O range do feixe de elétrons na amostra é dependente da energia do feixe, do tipo de detector e dos parâmetros da amostra.

B O espalhamento elástico dos elétrons do feixe impossibilita o efeito de retrodifusão no volume da amostra.

C A probabilidade de um espalhamento elástico diminui fortemente com aumento do número atômico Z.

D A interação do feixe de elétrons com os átomos da amostra pode defletir os elétrons do feixe em uma nova trajetória.

E A profundidade de interação do feixe de elétrons (range de elétrons) no volume da amostra tende a aumentar com o aumento da inclinação da amostra.

A a irradiação com o feixe de elétrons sobre a amostra resulta na perda de energia do feixe na forma de calor.

B ocorre principalmente pelo mau posicionamento do espécime analisado no estágio da amostra.

C é frequente em amostras metálicas, que constantemente derretem com a elevada energia do feixe de elétrons.

D Pode ser minimizado com a diminuição da distância de trabalho (work distance - WD).

E Pode ser minimizado com a diminuição do diâmetro da sonda de elétrons (spot size).

A São os elétrons que atravessam a amostra e são detectados pelo detector posicionado abaixo do estágio da amostra.

B Os elétrons são ejetados da amostra devido a colisões inelásticas entre os elétrons primários e os elétrons da banda de condução de amostras metálicas ou da banda de valência em semicondutores e isolantes.

C São elétrons provenientes da camada externa da amostra que são fracamente ligados e recebem energia cinética suficiente durante o espalhamento inelástico do feixe primário.

D São produzidos por uma sequência de colisões elásticas e inelásticas entre os elétrons do feixe primário e os átomos da amostra.

E Uma das suas principais características é a baixa energia cinética de escape a partir da amostra analisada.

A 1 – Raios X contínuos, 2 – elétrons Auger, 3 – catodoluminescência

B 1 – Elétrons secundários, 2 – elétrons retroespalhados, 3 – elétrons transmitidos

C 1 – Florescência de raios X, 2 – elétrons difratados, 3 – elétrons secundários

D 1 – Elétrons difratados, 2 – raios X característicos, 3 – elétrons retroespalhados

E 1 – Elétrons retroespalhados, 2 – elétrons Auger, 3 – elétrons secundários

A LIII K, LII K e MII/III LI

B LI K, LII K e MI K

C LI K, LII K e MII/III LI

D LI K, LII K e MII/III K

E LIII K, LII K e MII/III K

A Filtro de Cu. Porque os átomos de Cu espalham fortemente os fótons da radiação Cu Kβ.

B Filtro de Cu. Porque os átomos de Cu absorvem fortemente a energia dos fótons da radiação Cu Kβ.

C Filtro de Ni. Porque os átomos de Ni espalham fortemente os fótons da radiação Cu Kβ.

D Filtro de Ni. Porque os átomos de Ni absorvem fortemente a energia dos fótons da radiação Cu Kβ.

E Filtro de Pb. Porque os átomos de Pb espalham fortemente os fótons da radiação Cu Kβ.

A 2,56

B 3,62

C 4,04

D 5,32

E 3,78