Questões de Concursos Públicos - Engenharia Elétrica

Analise a figura abaixo, que representa um circuito sequencial. Fonte: FUNCERN, 2017. Assinale a opção em que estão representadas, corretamente, as formas de onda das saídas Q0 e Q1.

Analise a descrição abaixo de estados de um sistema sequencial. Entrada: ?(?) ∈ {0,1,2,3] Saída: ?(?) ∈ {?,?} Estado: ?(?) ∈ {?0,?1} Estado Inicial: ?(0) = ?0 Funções: ?(? + 1) = z(t) = Assinale a opção que representa o diagrama de estados obtido, diretamente, dessas expressões.

Um retificador de onda completa em ponte, que utiliza diodos de silício (VD= 0,7 V), possui uma entrada senoidal de 220 Vrms e uma carga de 3,3 kΩ. Os valores da tensão CC aplicada na carga, da especificação da tensão de pico inversa (PIV) máxima para os diodos e da corrente máxima por meio dos diodos durante a condução, respectivamente, são

Analise a figura abaixo, que representa um circuito com diodos ideais. Fonte: FUNCERN, 2017. O valor de pico da tensão de saída (vo) é de

Analise a figura abaixo, que projeta um circuito RC-AmpOp representativo de um filtro ativo. Fonte: FUNCERN, 2017. Considerando os amplificadores operacionais ideais e a tensão de entrada (Vi) uma senóide, com 50 mV de pico, as frequências de corte inferior e superior e o valor médio quadrático da tensão de saída (Vo), para frequências no interior da banda de passagem, respectivamente, são

Analise a figura abaixo que representa um circuito em que a diferença de potencial medida entre os pontos A e B é igual a zero Volt. Fonte: FUNCERN, 2017. Para atender à condição imposta, os respectivos valores de Cx e Rx são

A medição das características elétricas de um dispositivo sensor que utiliza o efeito fotovoltaico apresentou os seguintes resultados: tensão de máxima potência VMP= - 0,33 V; corrente de máxima potência IMP= 1,21x10-9 A; tensão de circuito aberto VOC= - 0,40 V; e corrente de curto circuito ISC= 1,31 x 10-9 A. A partir dos parâmetros medidos, o Fator de Forma (FF) do sensor é de

Analise a figura abaixo que representa um circuito de polarização DC do amplificador fonte comum (FC), com tensão entre a porta e a fonte (VGS) igual a 2,39 V e transistor de efeito de campo (FET) com as seguintes características: tensão de limiar de condução Vth= 1,2 V, parâmetros de processo K?` =0,7 ?? /?2 e = 0,004 V-1. Fonte: FUNCERN, 2017. Para a condição de polarização estabelecida, os respectivos valores da transcondutância (gm) e do resistor de saída para pequenos sinais do FET são

Analise a figura abaixo que representa um circuito amplificador de instrumentação, em que são utilizados resistores com tolerância de 5%. Fonte: FUNCERN, 2017. O valor do ganho diferencial mínimo (Ad) é de

Observe a figura abaixo, que representa um circuito em que o transistor bipolar NPN foi especificado para ter (hFE) na faixa de 15 a 75. Fonte: FUNCERN, 2017. Para que o transistor Q1 opere na saturação (VCE de saturação= 0,2 V e VBE= 0,67 V), com Fator Forçado igual a 20, o valor da resistência de base (RB) será de